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 Tuning the interfacial properties of stacked gate dielectrics on silicon carbide by inserting h-BN layer 通过插入h-BN层调节碳化硅上堆叠栅介质的界面特性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xuan Tang; Jingren Chen; Zhanwei Shen; Yuyang Miao; Ji Jiang; et al 出版日期：2025-10-13 |
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