Band gap engineering of vacancy-ordered halide perovskite Cs2SnCl6 from substitutional doping of Pt (Cs2Sn(1-x)PtxCl6 where x = 0, 0.25, 0.50, 0.75 and 1.00) and its effects on thermoelectric properties using the first-principles approach

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标题	Band gap engineering of vacancy-ordered halide perovskite Cs2SnCl6 from substitutional doping of Pt (Cs2Sn(1-x)PtxCl6 where x = 0, 0.25, 0.50, 0.75 and 1.00) and its effects on thermoelectric properties using the first-principles approach
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.inoche.2024.112461
DOI	10.1016/j.inoche.2024.112461 doi
求助人	逸死在 2026-10-20 14:16:07 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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