Total Ionizing Dose Radiation Effects Hardening Using Back-Gate Bias in Double-SOI Structure

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标题	Total Ionizing Dose Radiation Effects Hardening Using Back-Gate Bias in Double-SOI Structure 双SOI结构中背栅偏压增强总电离剂量辐射效应相关领域浅沟隔离绝缘体上的硅材料科学光电子学辐射吸收剂量辐射硬化偏压电离辐射 MOSFET 辐照阈值电压泄漏（经济）绝缘体（电）电场电子工程电压硅电气工程物理光学沟槽工程类晶体管图层（电子）纳米技术核物理学经济宏观经济学量子力学
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/9687555
DOI	10.1109/TNS.2022.3145027 doi
求助人	跳跃的访琴在 2026-01-02 17:53:32 发布自江苏，悬赏 10 积分
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