| 标题 |
Large Capacitive Memory Window Achieved in Ferroelectric HZO Capacitor With NbOx Insertion Layer for Non-Destructive Read 在具有用于非破坏性读取的NbOx插入层的铁电HZO电容器中实现大电容存储窗口
相关领域
电容器
铁电性
电容感应
材料科学
光电子学
窗口(计算)
图层(电子)
解耦(概率)
记忆电阻器
铁电电容器
去耦电容器
介电常数
非易失性存储器
铁电陶瓷
功率消耗
随机存取存储器
功率(物理)
电气工程
存储单元
陶瓷电容器
电子工程
电阻随机存取存储器
瞬态(计算机编程)
电容耦合
平面的
薄膜电容器
电介质
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)