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标题
Negative capacitance FET based dual-split control 6T-SRAM cell design for energy efficient and robust computing-in memory architectures
基于负电容FET的双分裂控制6T-SRAM单元设计，用于节能和鲁棒的计算存储器架构
相关领域
静态随机存取存储器 电容 对偶（语法数字） 存储单元 计算机科学 材料科学 电子工程 光电子学 纳米技术 计算机硬件 电气工程 晶体管 物理 工程类 文学类 电极 电压 艺术 量子力学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mee.2024.112165
DOI
10.1016/j.mee.2024.112165 doi
其它 期刊：Microelectronic Engineering
作者：Birudu Venu; Tirumalarao Kadiyam; Koteswararao Penumalli; Sivasankar Yellampalli; Ramesh Vaddi
出版日期：2024-02-23
求助人
荟萃分析 在 2025-12-10 20:52:24 发布自山西，悬赏 10 积分
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