| 标题 |
Segregation Gettering Mechanism in Heavily P-doped Silicon Wafers
相关领域
材料科学
吸气剂
薄脆饼
兴奋剂
机制(生物学)
硅
光电子学
纳米技术
冶金
工程物理
工程类
认识论
哲学
|
| 网址 |
AI链接 atlas.jp |
| DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
| 其它 |
期刊:The Japan Society of Applied Physics 作者:Rie Ozaki; Kazuhisa Torigoe; Taisuke Mizuno; Kazuhiro Yamamoto 出版日期:2018-07-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)