| 标题 |
Simulation-Driven Analysis of Single-Event Effects in SiC Power MOSFETs 相关领域
碳化硅
材料科学
光电子学
栅氧化层
MOSFET
稳健性(进化)
功率MOSFET
随时间变化的栅氧化层击穿
辐射
功率半导体器件
脉冲功率
电离辐射
功率(物理)
线性能量转移
宽禁带半导体
硅
吸收剂量
辐射损伤
工程物理
泄漏(经济)
逻辑门
电气工程
氧化物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)