Effects of High‐Pressure H2 and D2 Post‐Metallization Annealing on the Electrical Properties of HfO2/Si0.7Ge0.3

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标题	Effects of High‐Pressure H2 and D2 Post‐Metallization Annealing on the Electrical Properties of HfO2/Si0.7Ge0.3
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssr.2022004...
DOI	10.1002/pssr.202200439 doi
其它	期刊：physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 作者：Jinyong Kim; Seongheum Choi; An Hoang-Thuy Nguyen; Woohui Lee; Rino Choi; Hyoungsub Kim 出版日期：2022-12-26
求助人	GQ 在 2026-06-14 19:04:33 发布自上海，悬赏 10 积分
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