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 Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β -Ga 2 O 3 films via MOCVD using TMGa: effects of growth temperature and oxygen flow rate 相关领域
金属有机气相外延
三甲基镓
镓
氧气
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Paiwen Fang; Yiming Zhang; Shengliang Cheng; Tiecheng Luo; Wenyong Feng; et al 出版日期：2026-03-01 |
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