An innovative kinetic model allowing insight in the moderate temperature chemical vapor deposition of silicon oxynitride films from tris (dimethylsilyl)amine

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标题	An innovative kinetic model allowing insight in the moderate temperature chemical vapor deposition of silicon oxynitride films from tris (dimethylsilyl)amine
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.cej.2021.133350
DOI	10.1016/j.cej.2021.133350 doi
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