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Mobility degradation under a high effective normal field in an inversion layer of 4H-SiC (0001) metal–oxide–semiconductor structures annealed in POCl3
POCl3中退火的4H-SiC（0001）金属氧化物半导体结构反型层在高效法向场下的迁移率退化
相关领域
材料科学 碳化硅 场效应晶体管 表面粗糙度 MOSFET 金属 电子迁移率 半导体 氧化物 降级（电信） 硅 晶体管 分析化学（期刊） 光电子学 复合材料 电子工程 电气工程 冶金 化学 电压 工程类 色谱法
网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/aca377
DOI
10.35848/1882-0786/aca377 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Kōji Itō; Tsunenobu Kimoto
出版日期：2022-11-16
求助人
baz 在 2025-12-03 17:07:52 发布自陕西，悬赏 10 积分
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