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标题
Hole Mobility Enhancement in Strained SiGe Grown on Silicon-on-Insulator p-MOSFETs
相关领域
材料科学 绝缘体上的硅 光电子学 MOSFET 硅 电子迁移率 应变硅 工程物理 电气工程 晶体管 物理 非晶硅 电压 晶体硅 工程类
网址
https://doi.org/10.3938/jkps.53.2171
DOI
10.3938/jkps.53.2171 doi
其它 期刊：Journal of the Korean Physical Society
作者：Seong-Je Kim; Ji-Young Baek; Tae‐Hun Shim; Hun-Joo Lee; Jea‐Gun Park; et al
出版日期：2008-10-15
求助人
ZT 在 2025-10-13 15:10:44 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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