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In-situ S/TEM DC biasing of p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure for E-mode GaN HEMT devices |
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期刊:Engineering Research Express 作者:Abhas B Mehta; Xiangyu Zhu; S Shichijo; M J Kim 出版日期:2024-03-03 |
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(2025-6-4)