| 标题 |
 Radiation Hardness of Si Compared to 4H-SiC for Betavoltaics Assessed by Accelerated Aging Using an Electron Beam System 相关领域
材料科学
通量
二极管
辐照
半导体
光电子学
电子束处理
辐射硬化
半导体器件
电子
平面的
辐射
光学
物理
纳米技术
核物理学
计算机科学
计算机图形学（图像）
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Qinghui Shao; Joshua Jarrell; John Murphy; Clint D. Frye; R. Henderson; et al 出版日期：2021-11-10 |
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