Design of superjunction blocking junction IGBT with doubly doped polysilicon gate and floating carrier storage layer

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标题	Design of superjunction blocking junction IGBT with doubly doped polysilicon gate and floating carrier storage layer
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S187923912...
DOI	10.1016/j.mejo.2025.106892 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Quanyi Zhang; Quanyuan Feng; Mingyang Chen; Yuanchang Zhan 出版日期：2025-09-23
求助人	AAA奉车时代张功在 2026-05-19 14:15:47 发布自重庆，悬赏 10 积分
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