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标题
Evaluation of Neutron Radiation Impact for 1200-V Class 4H-SiC MOSFET at Gate Switching Mode With TCAD Simulation
用TCAD模拟评估1200V 4H-SiC MOSFET在栅极开关模式下的中子辐射影响
相关领域
MOSFET 碳化硅 材料科学 光电子学 功率MOSFET 晶体管 栅氧化层 宽禁带半导体 稳健性（进化） 电子工程 电气工程 电压 工程类 化学 冶金 基因 生物化学
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2023.3272918
DOI
10.1109/tns.2023.3272918 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Dongwoo Bae; Kiseog Kim; Hyeokjae Lee; Sung Soo Chung; Joongsik Kih; et al
出版日期：2023-05-04
求助人
Monowi 在 2025-12-03 22:23:06 发布自四川，悬赏 10 积分
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  • 1小时前

    Monowi Monowi Lv3 求助人 发起了本次求助

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