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 Investigation of Four-Port Characteristic Dependence on Gate Length for MOSFETs in the Breakdown Region MOSFET击穿区四端口特性与栅极长度关系的研究
相关领域
信道长度调制
MOSFET
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
电气工程
雪崩击穿
CMOS芯片
光电子学
泄漏（经济）
电阻抗
击穿电压
放大器
电子工程
电压
工程类
栅氧化层
晶体管
宏观经济学
经济
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Chie‐In Lee; Wei‐Cheng Lin; Yan-Ting Lin 出版日期：2022-09-14 |
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