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标题
Modeling of Threshold Voltage Shift by Neighboring Transistors for Macaroni Channel MOSFETs in Series
通心粉沟道MOSFETs相邻晶体管阈值电压偏移的建模
相关领域
阈值电压 晶体管 与非门 反向短通道效应 系列（地层学） 干扰（通信） 频道（广播） 过驱动电压 弦（物理） 短通道效应 电压 材料科学 MOSFET 电子工程 光电子学 计算机科学 物理 电气工程 工程类 电信 量子力学 生物 古生物学
网址
https://doi.org/10.1109/tcad.2023.3302728
DOI
10.1109/tcad.2023.3302728 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
作者：Quan Nguyen-Gia; Hyungcheol Shin
出版日期：2023-08-07
求助人
何敏 在 2025-12-09 18:52:36 发布自福建，悬赏 10 积分
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