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Two-Terminal Nonvolatile Write-Once-Read-Many-Times Memory Based on All-Inorganic Halide Perovskite 基于全无机卤化物钙钛矿的双端非易失性一写多读存储器
相关领域
钙钛矿(结构)
卤化物
薄膜
材料科学
光电子学
电压
非易失性存储器
基质(水族馆)
电极
阅读(过程)
纳米技术
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期刊:Micromachines 作者:Zhipeng Yu; Xiaofeng Zhao; Chunpeng Ai; Xin Fang; Xiaohan Zhao; et al 出版日期:2022-12-29 |
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