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[高分]
  Electrical characteristics of gated‐anode diodes based on normally‐off GaN HEMT structures for rectenna applications 相关领域
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期刊：Electronics Letters 作者：H. Takahashi; Yuji Ando; Yoichi Tsuchiya; Akio Wakejima; Hiroaki Hayashi; et al 出版日期：2021-07-06 |
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