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标题
High-Mobility Holes in Dual-Gated WSe2 Field-Effect Transistors
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网址
https://arxiv.org/pdf/1509.03896
AI链接 nih.gov arxiv.org arxiv.orgdoi.org
DOI
10.1021/acsnano.5b04611 doi
其它 期刊：ACS Nano
作者：Hema C. P. Movva; Amritesh Rai; Sangwoo Kang; Kyounghwa Kim; B. Fallahazad; et al
出版日期：2015-09-13
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科研浦东 在 2026-09-13 10:53:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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  • 19小时前

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