Band Alignment, Thermal Transport Property, and Electrical Performance of High-Quality β-Ga2O3/AlN Schottky Barrier Diode Grown via MOCVD

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标题	Band Alignment, Thermal Transport Property, and Electrical Performance of High-Quality β-Ga2O3/AlN Schottky Barrier Diode Grown via MOCVD
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5c04203
DOI	10.1021/acsami.5c04203 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：An-Feng Wang; Hong-Ping Ma; Qingxia Huang; Lin Gu; Yi Shen; et al 出版日期：2025-04-28
求助人	Zhoey 在 2026-10-26 17:08:40 发布自浙江，悬赏 10 积分
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