High Performance and Reliable 4F2 IGZO Vertical Channel Transistor (VCT) with Extremely Low Contact Resistance and 10 year BTI lifetime for sub-10nm DRAM

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标题	High Performance and Reliable 4F2 IGZO Vertical Channel Transistor (VCT) with Extremely Low Contact Resistance and 10 year BTI lifetime for sub-10nm DRAM
网址	https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.1107...
DOI	10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.11074867 doi
其它	期刊：作者：Daewon Ha; Yunsung Lee; Kyoung-Jun Moon; Sangmoon Lee; Kicheon Yoo; et al 出版日期：2025-06-08
求助人	Mr_龙在天涯在 2026-10-29 15:10:36 发布自上海，悬赏 10 积分
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