| 标题 |
Novel Fin-Shaped Drift SOI LDMOS Featuring Drift-All-Around Electron Accumulation Effect 相关领域
LDMOS
绝缘体上的硅
鳍
电子
电气工程
光电子学
MOSFET
材料科学
物理
晶体管
硅
工程类
电压
核物理学
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Zengqiang Deng; Qi Li; Lili Liang; Pei Li; Yulong Liu; et al 出版日期:2025-04-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|