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 Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 用拉曼散射测量法测定4H-SiC晶片的输运性质
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期刊：Chinese Physics B 作者：Guosheng Sun; Xingfang Liu; Hailei Wu; Guoguo Yan; Lin Dong; et al 出版日期：2011-03-01 |
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