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 Suppressing Stress and Defect Clustering in 8-inch PVT-Grown 4H-SiC Crystals via High-Temperature Post-Growth Annealing 通过高温生长后退火抑制8英寸PVT生长4H-SiC晶体中的应力和缺陷聚集
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期刊：Solid State Phenomena 作者：Liang Qiao; Ru Sheng Wei; Kai Li Mao; Tian Li; Yu Peng Gao; et al 出版日期：2025-11-19 |
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