| 标题 |
Large Area Growth of Cubic Silicon Carbide Using Close Space PVT by Application of Homoepitaxial Seeding 应用同质外延晶种利用封闭空间PVT大面积生长立方碳化硅
相关领域
材料科学
升华(心理学)
播种
碳化硅
薄脆饼
拉曼光谱
硅
复合材料
光电子学
光学
心理学
物理
工程类
航空航天工程
心理治疗师
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Materials Science Forum 作者:Manuel Kollmuß; Michael Schöler; Ruggero Anzalone; Marco Mauceri; Francesco La Via; et al 出版日期:2022-05-31 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)