面向16/14nm节点高性能P--FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究

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标题	[高分] 学位论文面向16/14nm节点高性能P--FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	https://d.wanfangdata.com.cn/thesis/Y3600727
求助人	capi 在 2025-01-04 20:26:55 发布自上海，悬赏 50 积分
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