Investigation of refresh characteristics in 4F 2 vertical DRAM cells for sub-10 nm era

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标题	Investigation of refresh characteristics in 4F 2 vertical DRAM cells for sub-10 nm era
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae4038
DOI	10.35848/1347-4065/ae4038 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Gyu-Beom Kim; Da-Gyo Yoo; Yongyoon Choi; Myung-Hyun Baek 出版日期：2026-02-02
求助人	画画的baby 在 2026-07-03 22:12:45 发布自荷兰，悬赏 10 积分
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