Hole Mobility in Accumulation Mode Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

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标题	Hole Mobility in Accumulation Mode Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
网址	https://doi.org/10.7567/jjap.51.04dc07
DOI	10.7567/jjap.51.04dc07 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Philippe Gaubert; Akinobu Teramoto; Shigetoshi Sugawa; Tadahiro Ohmi 出版日期：2013-12-21
求助人	榴莲麦旋风在 2026-09-09 11:10:07 发布自北京，悬赏 10 积分
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