0.021-μm 2 High-Density SRAM in Intel 18A RibbonFET Technology With PowerVia Backside Power Delivery

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标题	0.021-μm 2 High-Density SRAM in Intel 18A RibbonFET Technology With PowerVia Backside Power Delivery
网址	https://doi.org/10.1109/jssc.2025.3615590
DOI	10.1109/jssc.2025.3615590 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者：Xiaofei Wang; Gwang Hyeon Baek; Kunal Girish Bannore; Kaushal Pareshbhai Dave; Arash Joushaghani; et al 出版日期：2025-10-27
求助人	gshh 在 2026-09-12 17:17:25 发布自广西，悬赏 10 积分
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