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 Mechanism of a-InGaZnO Thin Film Transistors Degradation Under Negative Gate-Pulse Stress 相关领域
材料科学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Huaisheng Wang; Longtao Shang; M J Wang; Dongli Zhang; Nannan Lv; et al 出版日期：2026-06-08 |
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