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Non-polar a-plane AlN epitaxial films on r-plane sapphire with greatly reduced defect densities obtained by high-temperature annealing 高温退火在r面蓝宝石上获得缺陷密度大大降低的非极性A面AlN外延膜
相关领域
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Kun Xing; Guangxia Xie; Xueying Cheng; Yun Zhang; Qiang Chen; et al 出版日期:2022-08-30 |
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