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 Thermal and Electrical Study of Single-Event Burnout and Hardening in 600 V Lateral DMOSFETs With Optimized Trench Drain 具有优化沟槽漏极的600 V横向DMOSFET中单事件烧损和硬化的热和电学研究
相关领域
LDMOS
格子（音乐）
沟槽
电气工程
材料科学
物理
击穿电压
凝聚态物理
拓扑（电路）
电压
工程类
纳米技术
声学
图层（电子）
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yibo Lei; Jian Fang; Qingchen Shi; Shangyang Li; Lijuan Shi; et al 出版日期：2023-08-11 |
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