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 Back-End-of-Line-Compatible Scaled InGaZnO Transistors by Atomic Layer Deposition 用原子层沉积技术实现后端兼容的标度InGaZnO晶体管
相关领域
薄膜晶体管
退火（玻璃）
原子层沉积
符号
物理
材料科学
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纳米技术
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算术
复合材料
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jie Zhang; Zehao Lin; Zhuocheng Zhang; Ke Xu; Hongyi Dou; et al 出版日期：2023-09-15 |
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