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 Design and Optimization of 3.3 kV Silicon Carbide Semi-Superjunction Schottky Power Devices 3.3 kV碳化硅半超结肖特基功率器件的设计与优化
相关领域
碳化硅
肖特基二极管
材料科学
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二极管
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期刊： 作者：Kyrylo Melnyk; Arne Benjamin Renz; Qinze Cao; Peter Michael Gammon; Vishal Ajit Shah; et al 出版日期：2024-06-02 |
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