Extending Channel Scaling Limit of p-MOSFETs Through Antimonene With Heavy Effective Mass and High Density of State

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标题	Extending Channel Scaling Limit of p-MOSFETs Through Antimonene With Heavy Effective Mass and High Density of State 利用重有效质量高态密度锑烯扩展P-MOSFET沟道标度极限相关领域拓扑（电路）物理算法电气工程数学
网址	https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9672317
DOI	10.1109/TED.2021.3136497 doi
求助人	phw2333 在 2025-07-01 18:32:32 发布自江苏，悬赏 20 积分
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