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Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties InGaN量子阱周围GaN层Si掺杂对结构光致发光特性的影响
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Markéta Zíková; A. Hospodková; J. Pangrác; Tomáš Hubáček; J. Oswald; et al 出版日期:2018-10-05 |
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