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标题
A Novel Charge-Imbalance Termination for Trench Superjunction VDMOS
一种新型的沟槽超结VDMOS电荷不平衡终端
相关领域
沟槽 击穿电压 材料科学 MOSFET 电压 光电子学 GSM演进的增强数据速率 电气工程 图层（电子） 工程类 晶体管 纳米技术 电信
网址
https://doi.org/10.1109/led.2010.2076406
DOI
10.1109/led.2010.2076406 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Qinsong Qian; Weifeng Sun; Jing Zhu; Siyang Liu
出版日期：2010-10-27
求助人
车剑锋 在 2025-07-05 09:19:30 发布自北京，悬赏 10 积分
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