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 A Novel Charge-Imbalance Termination for Trench Superjunction VDMOS 一种新型的沟槽超结VDMOS电荷不平衡终端
相关领域
沟槽
击穿电压
材料科学
MOSFET
电压
光电子学
GSM演进的增强数据速率
电气工程
图层（电子）
工程类
晶体管
纳米技术
电信
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Qinsong Qian; Weifeng Sun; Jing Zhu; Siyang Liu 出版日期：2010-10-27 |
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