Uniformity of 4H–SiC epitaxial layers grown on 3-in diameter substrates

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标题	Uniformity of 4H–SiC epitaxial layers grown on 3-in diameter substrates
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202480...
DOI	10.1016/s0022-0248(03)01498-2 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：J. Nishio; M. Hasegawa; K. Kojima; T. Ohno; Y. Ishida; et al 出版日期：2003-10-01
求助人	yao 在 2026-07-27 18:37:28 发布自浙江，悬赏 10 积分
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