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 Source/drain epitaxial thickness scaling effects on DC performance and RC delay in stacked nanosheet gate-all-around FETs 相关领域
纳米片
材料科学
掺杂剂
外延
缩放比例
兴奋剂
光电子学
电容
接触电阻
电阻率和电导率
凝聚态物理
泄漏（经济）
扩散
蒙特卡罗方法
CMOS芯片
动力学蒙特卡罗方法
格子（音乐）
工作职能
等效串联电阻
MOSFET
纳米技术
工作（物理）
薄板电阻
动能
接触面积
半导体
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Hyunwoo Lee; Changhwan Shin 出版日期：2026-05-28 |
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