Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces

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标题	Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.3572236
DOI	10.1063/1.3572236 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：E. Al Alam; I. Cortés; M.-P. Besland; A. Goullet; L. Lajaunie; et al 出版日期：2011-04-15
求助人	辛勤愚志在 2026-09-03 21:32:25 发布自江苏，悬赏 10 积分
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