Six‐Fold Mobility Improvement for All‐Solution‐Processed Metal Oxide Thin Film Transistors Via a Controlled Humidity Annealing Process

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标题	Six‐Fold Mobility Improvement for All‐Solution‐Processed Metal Oxide Thin Film Transistors Via a Controlled Humidity Annealing Process
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202507594
DOI	10.1002/adfm.202507594 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Jingwei Zhang; Yihuan Wang; Zhimin Chai; Dewen Zhao; Xinchun Lu 出版日期：2025-05-30
求助人	123td 在 2026-08-01 16:48:51 发布自山东，悬赏 10 积分
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