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  Current collapse suppression in AlGaN/GaN high electron mobility transistor with groove structure 沟槽结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中电流崩溃的抑制
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
电场
光电子学
晶体管
击穿电压
电压
电气工程
物理
量子力学
工程类
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Jing Liu; Lin-Qian Wang; Zhongxiao Huang 出版日期：2019-01-01 |
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