Thermoelectric Design of Delta-Doped β-(Al x Ga1-x )2O3/Ga2O3 Metal Insulator Semiconductor High-Electron Mobility Transistors

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标题	Thermoelectric Design of Delta-Doped β-(Al x Ga1-x )2O3/Ga2O3 Metal Insulator Semiconductor High-Electron Mobility Transistors 相关领域兴奋剂热电效应材料科学三角洲物理光电子学热力学天文
网址	https://doi.org/10.1109/jsen.2024.3491179
DOI	10.1109/jsen.2024.3491179 doi
其它	期刊：IEEE Sensors Journal 作者：Zhenguang Shao; Mengting Shao; Guang Qiao; Xuekun Hong; Hailin Yu; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	王英铎在 2025-10-16 21:12:23 发布自天津，悬赏 10 积分
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