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 C4F6 Etching Characteristics for High‐Aspect‐Ratio Etching of SiO2 Films Using an Inductively Coupled Plasma Etching System With Low‐Frequency Bias Power 低频偏置功率电感耦合等离子体刻蚀系统高纵横比SiO2薄膜的C4F6刻蚀特性
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期刊：Plasma Processes and Polymers 作者：J. H. Wei; Byungjun Woo; Dae-Kug Lee; Kwangok Jeong; Kwang‐Ho Kwon 出版日期：2025-04-02 |
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