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 Enhanced gate biasing resilience in asymmetric and double trench SiC MOSFETs towards generalized highly reliable power electronics 相关领域
材料科学
沟槽
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工程物理
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Dandan Wang; Yifan Zhang; Ruolan Wang; Ruifeng Tang; Kuan Wang; et al 出版日期：2024-02-12 |
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