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  Interfacial Reaction Boosts Thermal Conductance of Room‐Temperature Integrated Semiconductor Interfaces Stable up to 1100 °C 相关领域
材料科学
半导体
电导
热的
热导率
纳米技术
化学工程
光电子学
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物理
工程类
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Xiaoyang Ji; Zifeng Huang; Yutaka Ohno; Koji Inoue; Yasusyohi Nagai; et al 出版日期：2024 |
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