Vertical MBE growth of Si fins on sub-10 nm patterned substrate for high-performance FinFET technology*

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标题	Vertical MBE growth of Si fins on sub-10 nm patterned substrate for high-performance FinFET technology* 用于高性能FinFET技术的亚10 nm图案化衬底上Si鳍的垂直MBE生长* 相关领域材料科学外延分子束外延基质（水族馆）光电子学图层（电子）蚀刻（微加工）硅鳍纳米技术复合材料海洋学地质学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/abf63f
DOI	10.1088/1674-1056/abf63f doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Shuang Sun; Jian‐Huan Wang; Bao-Tong Zhang; Xiaokang Li; Qifeng Cai; et al 出版日期：2021-04-09
求助人	志文在 2025-08-29 22:28:40 发布自贵州，悬赏 10 积分
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