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 A Review of Memory Effects in AlGaN/GaN HEMT Based RF PAs AlGaN/GaN HEMT基射频PAs的记忆效应研究进展
相关领域
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材料科学
宽禁带半导体
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期刊：2021 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS) 作者：Jose C. Pedro; Pedro M. Tome; Telmo R. Cunha; Filipe M. Barradas; Luis C. Nunes; et al 出版日期：2021-05-23 |
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